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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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70T653MS15BC8
70T653MS15BC8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥2,391.06671

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合计: ¥2,391,066.70800

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71T75602S150BGI
71T75602S150BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥271.66821

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合计: ¥22,820.12998

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71V67602S133BGG
71V67602S133BGG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥180.82994

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合计: ¥45,569.14362

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5962-8866508ZA
5962-8866508ZA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (2K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PGA (29.46x29.46)

¥1,706.69624

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合计: ¥35,840.62106

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7140LA100CB
7140LA100CB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-SIDE BRAZED

¥954.70838

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合计: ¥38,188.33512

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71V67602S150BGG
71V67602S150BGG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥180.82994

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合计: ¥45,569.14362

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5962-8687505XA
5962-8687505XA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-SIDE BRAZED

¥954.70838

0

5-7 工作日

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合计: ¥38,188.33512

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71T75802S100BGGI
71T75802S100BGGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥271.66821

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5-7 工作日

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合计: ¥22,820.12998

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71V25761S183PFGI
71V25761S183PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 183 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥65.07441

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合计: ¥9,370.71562

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71V67703S75BGG
71V67703S75BGG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥179.59596

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合计: ¥45,258.18066

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5962-8687513XA
5962-8687513XA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-SIDE BRAZED

¥948.15188

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合计: ¥37,926.07520

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71T75802S100BGI
71T75802S100BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥271.66821

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合计: ¥22,820.12998

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71V25761S183PFGI8
71V25761S183PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 183 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥65.40029

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合计: ¥65,400.29400

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71T75802S133BGGI
71T75802S133BGGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥271.66821

0

5-7 工作日

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合计: ¥22,820.12998

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71V3556SA100BQ
71V3556SA100BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥62.77624

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合计: ¥8,537.56891

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5962-8687506XA
5962-8687506XA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-SIDE BRAZED

¥954.70838

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥38,188.33512

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70V28L20PFGI
70V28L20PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥1,006.74205

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合计: ¥1,006.74205

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70T3319S200BC
70T3319S200BC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,477.77551

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2-3 工作日

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合计: ¥35,466.61217

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71T75802S133BGI
71T75802S133BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥269.80906

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2-3 工作日

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合计: ¥22,663.96070

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71V3556SA100BQG
71V3556SA100BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥62.77624

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合计: ¥8,537.56891

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