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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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70V7319S166BF
70V7319S166BF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,184.52799

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71T75602S133BGGI8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥273.01444

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71V3556S133PFGI8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥62.05065

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合计: ¥62,050.64900

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70V7599S166BF
70V7599S166BF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,184.52799

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合计: ¥24,875.08769

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71T75602S133BGI8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥273.01444

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71V3559S80PFGI8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥62.05065

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合计: ¥62,050.64900

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70V28L20PFG8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥699.49111

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71T75602S150PFG8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥210.40966

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合计: ¥210,409.65600

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70V657S12BCI8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.125Mb(32K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥959.17629

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2-3 工作日

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合计: ¥959,176.29100

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70T631S10BCI8
70T631S10BCI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,694.11576

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5-7 工作日

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合计: ¥1,694,115.75900

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70T659S10BCI8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,702.46750

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2-3 工作日

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合计: ¥1,702,467.50300

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71V65603S150PFG
71V65603S150PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥76.82406

326

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71T75602S150BGGI8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥273.01444

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合计: ¥273,014.43800

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70T659S10BFI8
70T659S10BFI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,702.46750

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2-3 工作日

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合计: ¥1,702,467.50300

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71T75602S150BGI8
71T75602S150BGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥271.66814

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70V3319S166PRFG8
70V3319S166PRFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 128-TQFP(14x20)

¥1,694.11576

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71T75802S133PFG8
71T75802S133PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥209.37558

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71T75802S100BGGI8
71T75802S100BGGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥273.01444

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71T75802S150PFG8
71T75802S150PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥209.37558

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71T75802S100BGI8
71T75802S100BGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

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