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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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71T75802S133BGI8
71T75802S133BGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥271.66814

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71T75802S150BGGI8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥271.66814

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合计: ¥271,668.14200

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7142LA55L48B
7142LA55L48B
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-LCC (14.22x14.22)

¥954.46726

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合计: ¥32,451.88691

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70T3599S133BCI
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,484.37601

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71V67602S150BGG8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥180.82986

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71T75802S150BGI8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥273.01444

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70T3319S133BFGI
70T3319S133BFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,484.37716

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71V67703S75BGG8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥180.82986

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合计: ¥180,829.86300

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71T75602S100BGGI
71T75602S100BGGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥271.66821

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70T3319S133BFI
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,474.17077

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71V67703S80BGG8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

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71T75602S100BGI
71T75602S100BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥269.80906

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70T3599S133BFI
70T3599S133BFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,484.37716

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合计: ¥31,171.92044

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71V67703S85BGG8
71V67703S85BGG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥181.72937

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合计: ¥181,729.37300

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71T75602S133BGGI
71T75602S133BGGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥271.66821

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合计: ¥22,820.12998

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70T3319S133BFGI8
70T3319S133BFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,484.37731

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71V67803S133BQG8
71V67803S133BQG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥180.82986

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5962-8700208UA
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-LCC (14.22x14.22)

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70V3399S166BF8
70V3399S166BF8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,184.64728

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合计: ¥1,184,647.27500

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71V256SA12YG8
71V256SA12YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

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