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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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71V3557S75BGG8
71V3557S75BGG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥62.77639

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5-7 工作日

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合计: ¥62,776.38700

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7008L35G
7008L35G
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 84-PGA (27.94x27.94)

¥1,207.86628

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5-7 工作日

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合计: ¥10,870.79648

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71V67603S166PFG8
71V67603S166PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥210.46419

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合计: ¥210,464.18800

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70T653MS12BC8
70T653MS12BC8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥2,522.95061

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合计: ¥2,522,950.61000

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71V3557S80BG8
71V3557S80BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥63.08822

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合计: ¥63,088.21600

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7130LA25L48B
7130LA25L48B
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-LCC (14.22x14.22)

¥1,771.16602

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合计: ¥60,219.64461

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7134LA55CB
7134LA55CB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-SIDE BRAZED

¥1,354.22855

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合计: ¥54,169.14208

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71V67603S166PFG
71V67603S166PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥210.46426

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合计: ¥45,460.28038

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71V3557S85BG8
71V3557S85BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥62.77639

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5-7 工作日

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合计: ¥62,776.38700

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71V3558SA100BQG8
71V3558SA100BQG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥62.77639

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5-7 工作日

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合计: ¥125,552.77400

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70V3389S5BC8
70V3389S5BC8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.125Mb(64K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥830.57218

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2-3 工作日

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合计: ¥830,572.17700

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7133LA25G
7133LA25G
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (2K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PGA (29.46x29.46)

¥988.81679

0

5-7 工作日

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合计: ¥8,899.35108

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7143LA20G
7143LA20G
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (2K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PGA (29.46x29.46)

¥988.81679

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5-7 工作日

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合计: ¥8,899.35108

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70121L25JG
70121L25JG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Kb (2K x 9) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥182.76517

0

5-7 工作日

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合计: ¥39,477.27586

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7027L55G
7027L55G
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 108-PGA(30.48x30.48)

¥1,223.11656

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5-7 工作日

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合计: ¥11,008.04907

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7143LA25G
7143LA25G
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (2K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PGA (29.46x29.46)

¥988.81679

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,899.35108

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70121L25JG8
70121L25JG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Kb (2K x 9) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥183.67362

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2-3 工作日

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合计: ¥73,469.44840

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71T75802S200BG8
71T75802S200BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥276.05167

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2-3 工作日

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合计: ¥276,051.66800

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70V658S12BCI
70V658S12BCI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,240.89136

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5-7 工作日

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合计: ¥59,562.78547

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7026S20G
7026S20G
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (16K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 84-PGA (27.94x27.94)

¥992.80038

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合计: ¥8,935.20344

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