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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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70V07L25PFG8
70V07L25PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 80-TQFP (14x14)

¥410.76804

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合计: ¥308,076.02700

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71V3559S80BQG
71V3559S80BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥62.77624

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合计: ¥8,537.56891

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71V67803S150PFGI
71V67803S150PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥182.03957

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5-7 工作日

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合计: ¥39,320.54755

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70V26L35G
70V26L35G
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (16K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 84-PGA (27.94x27.94)

¥961.34208

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合计: ¥8,652.07869

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7132SA35CB
7132SA35CB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-SIDE BRAZED

¥1,187.67082

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合计: ¥47,506.83296

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71V3559S85BQ
71V3559S85BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥62.77624

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5-7 工作日

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合计: ¥8,537.56891

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71V3559S85BQG
71V3559S85BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥39.28432

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2-3 工作日

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合计: ¥5,342.66698

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71T75802S150BGI
71T75802S150BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥269.80906

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2-3 工作日

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合计: ¥22,663.96070

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5962-8700209ZA
5962-8700209ZA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-SIDE BRAZED

¥1,187.79214

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5-7 工作日

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合计: ¥47,511.68572

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7005L25G
7005L25G
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PGA (29.46x29.46)

¥515.37456

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5-7 工作日

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合计: ¥6,184.49473

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70V7339S133BCI
70V7339S133BCI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,490.42586

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合计: ¥35,770.22052

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71V2556SA100BG8
71V2556SA100BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥62.77639

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5-7 工作日

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合计: ¥62,776.38700

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7015L12JG8
7015L12JG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Kb (8K x 9) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥294.04494

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5-7 工作日

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合计: ¥73,511.23400

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5962-8700212ZA
5962-8700212ZA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-SIDE BRAZED

¥1,187.79214

0

5-7 工作日

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合计: ¥47,511.68572

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70V7519S133BCI
70V7519S133BCI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,490.42586

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合计: ¥71,540.44104

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71V2556SA133BG8
71V2556SA133BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥63.08822

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2-3 工作日

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合计: ¥63,088.21600

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71V3556SA100BG8
71V3556SA100BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥63.08822

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2-3 工作日

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合计: ¥63,088.21600

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71256L55DB
71256L55DB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥229.57545

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合计: ¥29,844.80837

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70V7339S133BFI
70V7339S133BFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,490.42672

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合计: ¥31,298.96120

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70V7519S133BFI
70V7519S133BFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

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