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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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71V2546S100PFG
71V2546S100PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥48.31717

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合计: ¥6,957.67234

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71V65803S150BQG8
71V65803S150BQG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50075

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5-7 工作日

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合计: ¥329,001.49000

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71V65903S80BG8
71V65903S80BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥165.31362

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合计: ¥165,313.61500

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71V65903S80BQ8
71V65903S80BQ8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50075

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5-7 工作日

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71V65903S80BQG8
71V65903S80BQG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50075

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71V65903S85BG8
71V65903S85BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥165.31362

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合计: ¥165,313.61500

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71V016SA15PHGI8
71V016SA15PHGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥13.95655

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合计: ¥20,934.82050

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71V65903S85BGG8
71V65903S85BGG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.50075

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合计: ¥164,500.74500

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71V016SA10PHGI8
71V016SA10PHGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥13.95655

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2-3 工作日

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合计: ¥20,934.82050

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71V016SA12PHGI8
71V016SA12PHGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥13.88732

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5-7 工作日

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合计: ¥20,830.97850

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71V016SA20PHGI8
71V016SA20PHGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥13.95655

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2-3 工作日

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合计: ¥20,934.82050

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71256L25YG8
71256L25YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥32.05345

0

5-7 工作日

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合计: ¥32,053.45400

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71T75602S166PFG8
71T75602S166PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥135.10833

0

5-7 工作日

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合计: ¥135,108.33200

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71T75802S166PFG8
71T75802S166PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥135.10833

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥135,108.33200

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71256L20YG8
71256L20YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥32.05345

0

5-7 工作日

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合计: ¥32,053.45400

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71256L35YG8
71256L35YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥32.21146

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2-3 工作日

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合计: ¥32,211.45800

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71V3556SA166BGGI8
71V3556SA166BGGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥74.26725

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5-7 工作日

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合计: ¥74,267.24800

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71V3556SA166BGGI
71V3556SA166BGGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥35.66907

458

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合计: ¥5,992.40309

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71V65903S85BQ8
71V65903S85BQ8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50075

0

5-7 工作日

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合计: ¥329,001.49000

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71V65903S85BQG8
71V65903S85BQG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

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