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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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71V65603S133BGG8
71V65603S133BGG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.50075

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合计: ¥164,500.74500

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71V67603S133BGI8
71V67603S133BGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥179.86221

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5-7 工作日

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合计: ¥179,862.21100

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71V65603S150BG8
71V65603S150BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.50075

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5-7 工作日

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合计: ¥164,500.74500

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71V67603S133BQI
71V67603S133BQI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥179.86221

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合计: ¥48,922.52139

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M10042040054X0ISAR
M10042040054X0ISAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥69.60407

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2-3 工作日

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合计: ¥139,208.14600

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71V65603S150BGG8
71V65603S150BGG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥165.31362

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2-3 工作日

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合计: ¥165,313.61500

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71V67603S133BQI8
71V67603S133BQI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥179.86221

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合计: ¥359,724.42200

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71V67903S80PFG
71V67903S80PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥69.67098

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5-7 工作日

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合计: ¥15,048.93082

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71V65603S150BQ8
71V65603S150BQ8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50075

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5-7 工作日

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合计: ¥329,001.49000

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71V67603S150BGGI
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥178.62909

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71V65703S75BG8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.50075

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合计: ¥164,500.74500

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71V67603S150BGGI8
71V67603S150BGGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥179.86221

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5-7 工作日

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合计: ¥179,862.21100

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71V67603S150BGI
71V67603S150BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥178.62909

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2-3 工作日

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合计: ¥45,014.52967

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71V67603S150BGI8
71V67603S150BGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥179.86221

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5-7 工作日

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合计: ¥179,862.21100

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7164L25YGI
7164L25YGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥48.01963

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5-7 工作日

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合计: ¥12,965.30010

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71V65703S75BQ8
71V65703S75BQ8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50075

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥329,001.49000

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7164L25YGI8
7164L25YGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥48.25939

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2-3 工作日

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合计: ¥48,259.38500

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7130LA20TFG
7130LA20TFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 64-TQFP (10x10)

¥152.26568

0

5-7 工作日

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合计: ¥6,090.62704

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71V65703S75BQG8
71V65703S75BQG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50075

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5-7 工作日

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合计: ¥329,001.49000

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71V65703S80BG8
71V65703S80BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

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合计: ¥164,500.74500

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