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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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71V65803S150BGI8
71V65803S150BGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥179.86221

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合计: ¥179,862.21100

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M10042040054X0IWAY
M10042040054X0IWAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥69.19421

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71V67903S80BQ
71V67903S80BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50067

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71V65803S150BQI
71V65803S150BQI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥178.62909

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71V3578S133PFGI8
71V3578S133PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥73.42055

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71V016SA10BFG8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥31.37070

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M30042040054X0IWAY
M30042040054X0IWAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥69.19421

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合计: ¥15,568.69613

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71V67903S85BQ
71V67903S85BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50067

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合计: ¥22,372.09139

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71V65803S150BQI8
71V65803S150BQI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥179.86221

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合计: ¥359,724.42200

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71V3578S150PFGI8
71V3578S150PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥73.42055

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M30042040054X0IWAR
M30042040054X0IWAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥69.60407

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合计: ¥278,416.29200

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71V65603S100BG8
71V65603S100BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.50075

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合计: ¥164,500.74500

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71V67603S133BGGI
71V67603S133BGGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥179.86221

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合计: ¥45,325.27717

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71V016SA12BFI
71V016SA12BFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥28.73729

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合计: ¥13,678.95099

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M30042040054X0ISAR
M30042040054X0ISAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥69.60407

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合计: ¥139,208.14600

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71V65603S100BQG8
71V65603S100BQG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50075

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合计: ¥329,001.49000

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71V67603S133BGGI8
71V67603S133BGGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥179.86221

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合计: ¥179,862.21100

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M10042040054X0IWAR
M10042040054X0IWAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥69.60407

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2-3 工作日

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合计: ¥278,416.29200

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71V65603S133BG8
71V65603S133BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.50075

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合计: ¥164,500.74500

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71V67603S133BGI
71V67603S133BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥178.62909

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