品牌介绍
ISSI （芯成半导体有限公司）是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头，如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司，公司总部设在美国加州Santa Clara，在美国、欧洲拥有分公司，在台湾有合资企业，在中国香港设有子公司，销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品，产品都是由代工服务商代为生产，台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 2.3V ~ 3V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥85.05296 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥212,632.40500 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥22.86856 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,409.41312 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥44.64596 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,331.00564 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥54.83830 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥82,257.44850 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥42.81549 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥107,038.72750 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥23.23639 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥58,090.97250 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥70.42381 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥176,059.52500 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥22.83252 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,338.17842 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-TWBGA (11x18.5) | ¥282.69364 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥29,400.13846 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5) | ¥574.41489 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥68,355.37239 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥35.50092 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥53,251.37250 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOJ | ¥16.43678 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,574.71080 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥16.63646 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥16,636.45600 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥633.24678 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,266,493.56600 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥88.10070 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11,893.59477 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥783.55291 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥56,415.80930 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-TWBGA (11x18.5) | ¥398.79151 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥41,474.31704 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥89.75069 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥224,376.71250 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥70.53941 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥12,062.23979 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥90.07648 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥225,191.19500 | 立即购买 加入购物车 |