品牌介绍
ISSI （芯成半导体有限公司）是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头，如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司，公司总部设在美国加州Santa Clara，在美国、欧洲拥有分公司，在台湾有合资企业，在中国香港设有子公司，销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品，产品都是由代工服务商代为生产，台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥514.71072 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥54,044.62560 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥48.54314 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥72,814.71000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥514.71072 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥54,044.62560 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥57.09783 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥12,333.13128 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥127.64742 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥13,785.92147 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥47.98614 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11,516.67336 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥1,003.21088 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,006,421.75600 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥141.29953 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥15,260.34892 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥38.47509 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥57,712.63350 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥42.67589 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11,522.49057 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3V ~ 3V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥53.74594 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥18,703.58677 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 32) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥112.10923 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8,071.86442 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥822.94232 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥86,408.94339 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥42.67589 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥13,314.87799 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥82.24694 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥19,739.26536 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15) | ¥514.71072 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥54,044.62560 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥823.05792 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥59,260.17038 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥193.87830 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥67,469.64666 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 32) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥95.96177 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,909.24737 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥108.19477 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥270,486.91500 | 立即购买 加入购物车 |