品牌介绍
ISSI （芯成半导体有限公司）是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头，如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司，公司总部设在美国加州Santa Clara，在美国、欧洲拥有分公司，在台湾有合资企业，在中国香港设有子公司，销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品，产品都是由代工服务商代为生产，台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥31.38121 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥47,071.81650 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥84.54851 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥29,422.88078 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥102.86077 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥24,686.58456 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x10) | ¥61.61689 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥18,485.06790 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥4.68471 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,369.41600 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥81.12243 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥121,683.64200 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥47.16640 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥117,916.00500 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥44.99095 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥112,477.36500 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥122.61373 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥183,920.59350 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥45.10655 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥67,659.82500 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥506.95475 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥405,563.79840 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥506.95475 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥405,563.79840 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥868.57434 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥125,074.70510 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥172.29411 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥18,607.76334 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥62.67835 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥156,695.86750 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥74.90084 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥149,801.67000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II | ¥6.39331 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,488.10222 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥5.09683 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10,193.65800 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥145.19335 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10,453.92091 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥99.23021 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,144.57490 | 立即购买 加入购物车 |