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品牌介绍

ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。

英文全称: ISSI

中文全称: 美国芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/

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IS25WP128-RHLE
IS25WP128-RHLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)

¥23.27144

4865

2-3 工作日

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合计: ¥23.27144

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IS62LV256AL-45ULI
IS62LV256AL-45ULI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOP

¥6.66781

139

2-3 工作日

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合计: ¥6.66781

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IS25LP128F-RMLA3
IS25LP128F-RMLA3
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥19.78929

0

2-3 工作日

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合计: ¥19.78929

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IS25WP080D-JNLE
IS25WP080D-JNLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥2.00991

4602

2-3 工作日

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合计: ¥2.00990

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IS61C25616AS-25TLI
IS61C25616AS-25TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥28.30960

170

2-3 工作日

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合计: ¥28.30960

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IS61LPS12836EC-200TQLI
IS61LPS12836EC-200TQLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥58.03317

0

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IS43DR82560C-25DBL
IS43DR82560C-25DBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5)

¥78.26750

242

2-3 工作日

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合计: ¥78.26750

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IS34MW04G084-TLI
IS34MW04G084-TLI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥85.16202

69

2-3 工作日

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合计: ¥85.16202

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IS25LP256D-JMLE
IS25LP256D-JMLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥18.75332

0

2-3 工作日

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合计: ¥18.75332

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IS62WV25616EBLL-45BLI
IS62WV25616EBLL-45BLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥28.16836

930

2-3 工作日

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合计: ¥28.16836

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IS43TR16640CL-125JBLI
IS43TR16640CL-125JBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥50.46201

2018

2-3 工作日

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IS61LF51236B-7.5TQLI
IS61LF51236B-7.5TQLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥73.06203

35

2-3 工作日

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合计: ¥73.06203

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IS43DR81280C-25DBL
IS43DR81280C-25DBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5)

¥26.70451

242

2-3 工作日

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合计: ¥26.70451

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IS61WV5128EDBLL-10TLI
IS61WV5128EDBLL-10TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥16.43921

2333

2-3 工作日

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合计: ¥16.43921

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IS43DR86400E-25DBL
IS43DR86400E-25DBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5)

¥20.36704

868

2-3 工作日

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合计: ¥20.36704

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IS43TR16256BL-125KBLI
IS43TR16256BL-125KBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥54.23194

1109

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合计: ¥54.23194

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IS66WVE2M16EALL-70BLI
IS66WVE2M16EALL-70BLI
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥38.59090

24

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IS43LD16640C-25BLI-TR
IS43LD16640C-25BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5)

¥91.05846

1991

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合计: ¥91.05846

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IS25LP128F-JLLA3
IS25LP128F-JLLA3
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥30.87676

5

2-3 工作日

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IS61WV5128EDBLL-10BLI
IS61WV5128EDBLL-10BLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8)

¥24.33397

945

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