ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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种类: D类 电源电压: 2.7伏~5.5伏 最大输出功率 x 通道@负载: 3W x 1@4欧姆 供应商设备包装: 8-DFN (3x3) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度(TA) 安装类别: 表面安装 | ¥6.52730 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥16,318.25250 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5) | ¥78.90777 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥78.90777 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥15.98291 | 3687 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥15.98291 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥90.92012 | 162 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥90.92012 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥11.02369 | 1767 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11.02369 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (9x11) | ¥180.33083 | 812 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥180.33083 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥76.14095 | 216 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥76.14095 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOP | ¥2.98335 | 6526 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.98335 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13) | ¥46.10468 | 1437 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥46.10468 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥13.86219 | 2153 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥13.86219 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥14.52129 | 480 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14.52129 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13) | ¥70.10853 | 3037 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥70.10853 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥29.95193 | 7600 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥29.95193 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 266兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥22.55328 | 3776 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥22.55328 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥26.71502 | 666 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥26.71502 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥4.89113 | 40 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.89113 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 时钟频率: 16兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥48.42675 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥48.42675 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥10.95996 | 3066 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10.95996 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥4.42448 | 8286 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.42448 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOP | ¥10.28875 | 2600 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10.28875 | 立即购买 加入购物车 |