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品牌介绍

ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。

英文全称: ISSI

中文全称: 美国芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/

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IS31AP2006-DLS2-TR
IS31AP2006-DLS2-TR
种类: D类 电源电压: 2.7伏~5.5伏 最大输出功率 x 通道@负载: 3W x 1@4欧姆 供应商设备包装: 8-DFN (3x3) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度(TA) 安装类别: 表面安装

¥6.52730

20

2-3 工作日

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合计: ¥16,318.25250

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IS43DR82560C-3DBL
IS43DR82560C-3DBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5)

¥78.90777

0

2-3 工作日

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合计: ¥78.90777

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IS61WV25616EDBLL-10TLI
IS61WV25616EDBLL-10TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥15.98291

3687

2-3 工作日

- +

合计: ¥15.98291

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IS43LD32320C-25BLI
IS43LD32320C-25BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5)

¥90.92012

162

2-3 工作日

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合计: ¥90.92012

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IS61WV25616BLL-10TLI
IS61WV25616BLL-10TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥11.02369

1767

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合计: ¥11.02369

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IS61WV20488BLL-10MLI
IS61WV20488BLL-10MLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (9x11)

¥180.33083

812

2-3 工作日

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合计: ¥180.33083

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IS61WV10248EDBLL-10TLI
IS61WV10248EDBLL-10TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥76.14095

216

2-3 工作日

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合计: ¥76.14095

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IS25LP032D-JNLE-TR
IS25LP032D-JNLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOP

¥2.98335

6526

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.98335

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IS43TR16640CL-107MBLI
IS43TR16640CL-107MBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥46.10468

1437

2-3 工作日

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合计: ¥46.10468

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IS43R16160F-6TLI
IS43R16160F-6TLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥13.86219

2153

2-3 工作日

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合计: ¥13.86219

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IS61WV25616EDBLL-10BLI
IS61WV25616EDBLL-10BLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥14.52129

480

2-3 工作日

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合计: ¥14.52129

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IS43TR16128D-125KBL
IS43TR16128D-125KBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥70.10853

3037

2-3 工作日

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IS66WVE2M16EBLL-70BLI
IS66WVE2M16EBLL-70BLI
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥29.95193

7600

2-3 工作日

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合计: ¥29.95193

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IS43DR16160B-37CBL
IS43DR16160B-37CBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 266兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥22.55328

3776

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IS29GL064-70TLET
IS29GL064-70TLET
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥26.71502

666

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IS25LP040E-JBLE
IS25LP040E-JBLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥4.89113

40

2-3 工作日

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合计: ¥4.89113

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IS62WVS5128FALL-16NLI
IS62WVS5128FALL-16NLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 时钟频率: 16兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥48.42675

0

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合计: ¥48.42675

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IS42S16800F-7TL
IS42S16800F-7TL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥10.95996

3066

2-3 工作日

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IS25LP032D-JBLE
IS25LP032D-JBLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥4.42448

8286

2-3 工作日

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合计: ¥4.42448

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IS25LP032D-JNLE
IS25LP032D-JNLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOP

¥10.28875

2600

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