品牌介绍
ISSI （芯成半导体有限公司）是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头，如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司，公司总部设在美国加州Santa Clara，在美国、欧洲拥有分公司，在台湾有合资企业，在中国香港设有子公司，销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品，产品都是由代工服务商代为生产，台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x10) | ¥108.08967 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥216,179.34400 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥129.76959 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14,015.11583 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5) | ¥465.29530 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥55,370.14022 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5) | ¥465.29530 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥55,370.14022 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5) | ¥466.32522 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥55,492.70142 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5) | ¥466.32522 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥55,492.70142 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥156.00225 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥74,881.07760 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8) | ¥30.14110 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥75,352.74250 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ | ¥38.20340 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥38.20340 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥21.00586 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥21.00586 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥96.35085 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥18,306.66150 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ | ¥38.81398 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,315.35448 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥35.26930 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,522.71154 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥27.29304 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,369.11972 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥539.49200 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥77,686.84771 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5) | ¥498.23191 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥59,289.59681 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5) | ¥498.23191 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥59,289.59681 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5) | ¥498.23191 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥59,289.59681 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥504.41146 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥403,529.16880 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥49.44695 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,394.92088 | 立即购买 加入购物车 |