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品牌介绍

ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。

英文全称: ISSI

中文全称: 美国芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/

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IS61QDB21M18A-250B4LI
IS61QDB21M18A-250B4LI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15)

¥232.91038

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IS61LV12816L-10BLI
IS61LV12816L-10BLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥34.48272

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IS62WV1288DBLL-45HLI
IS62WV1288DBLL-45HLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP I

¥29.88710

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IS62WV6416DBLL-45TLI
IS62WV6416DBLL-45TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥11.24315

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IS43TR16256A-125KBLI-TR
IS43TR16256A-125KBLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥70.79164

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IS43TR16256AL-125KBLI
IS43TR16256AL-125KBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥80.78613

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IS61VPS51236A-200TQLI
IS61VPS51236A-200TQLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥191.77389

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IS62C25616BL-45TLI
IS62C25616BL-45TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥16.33168

1800

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IS62C25616BL-45TLI-TR
IS62C25616BL-45TLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥44.51802

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2-3 工作日

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IS62C5128BL-45QLI
IS62C5128BL-45QLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥35.93058

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IS62C5128BL-45QLI-TR
IS62C5128BL-45QLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥44.51802

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2-3 工作日

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IS62C5128BL-45TLI
IS62C5128BL-45TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥33.12468

1739

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合计: ¥3,378.71726

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IS25LQ010B-JNLE-TR
IS25LQ010B-JNLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥4.72925

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IS25LQ020B-JNLE-TR
IS25LQ020B-JNLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥3.73085

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合计: ¥3.73085

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IS62WV5128DBLL-45TLI
IS62WV5128DBLL-45TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥13.16977

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合计: ¥13.16977

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IS25LQ032B-JMLE
IS25LQ032B-JMLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥25.46821

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IS25LQ040B-JNLE-TR
IS25LQ040B-JNLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥3.92002

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IS43DR16128B-3DBLI
IS43DR16128B-3DBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TW-BGA (10.5x13.5)

¥50.23024

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IS43DR16320D-25DBI
IS43DR16320D-25DBI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥72.10452

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IS43TR16640B-107MBLI
IS43TR16640B-107MBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥22.99911

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