ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15) | ¥232.91038 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥33,539.09530 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥34.48272 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥34.48272 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP I | ¥29.88710 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥29.88710 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥11.24315 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,855.76112 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13) | ¥70.79164 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥70.79164 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13) | ¥80.78613 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥80.78613 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20) | ¥191.77389 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥191.77389 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥16.33168 | 1800 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,665.83156 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥44.51802 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥44.51802 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP | ¥35.93058 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥35.93058 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP | ¥44.51802 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥44.51802 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP II | ¥33.12468 | 1739 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3,378.71726 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥4.72925 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.72925 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥3.73085 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.73085 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥13.16977 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥13.16977 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥25.46821 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥25.46821 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥3.92002 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.92002 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TW-BGA (10.5x13.5) | ¥50.23024 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥50.23024 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥72.10452 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥72.10452 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13) | ¥22.99911 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥22.99911 | 立即购买 加入购物车 |