品牌介绍
ISSI （芯成半导体有限公司）是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头，如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司，公司总部设在美国加州Santa Clara，在美国、欧洲拥有分公司，在台湾有合资企业，在中国香港设有子公司，销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品，产品都是由代工服务商代为生产，台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥91.07488 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,836.08661 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥8.03745 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥24,112.33800 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x10) | ¥92.48314 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥184,966.28400 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II | ¥19.03261 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥19,032.61000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥92.48314 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥231,207.85500 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（512K x 18） 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥92.80893 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥74,247.14720 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥92.80893 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥74,247.14720 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 153-VFBGA (11.5x13) | ¥74.04957 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥74.04957 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥1.82738 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,482.15200 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥720.59081 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥75,662.03453 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥720.59081 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥75,662.03453 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥720.59081 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥75,662.03453 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥720.59081 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥75,662.03453 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥77.63329 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14,750.32548 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥755.28249 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥79,304.66166 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥75.65752 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,263.12144 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥44.40332 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,994.44861 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13) | ¥43.67727 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥109,193.16250 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥43.67727 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥109,193.16250 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5) | ¥27.36006 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,621.13331 | 立即购买 加入购物车 |