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品牌介绍

ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。

英文全称: ISSI

中文全称: 美国芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/

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IS45S32400F-6BLA1-TR
IS45S32400F-6BLA1-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥50.99184

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IS45S32400F-7BLA1
IS45S32400F-7BLA1
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥50.47688

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合计: ¥12,114.45072

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IS43LR32100D-6BL-TR
IS43LR32100D-6BL-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (1M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥21.33418

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合计: ¥53,335.44750

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IS25WP128F-JBLE-TR
IS25WP128F-JBLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥10.96135

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IS43R32800D-5BLI-TR
IS43R32800D-5BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 144-LFBGA (12x12)

¥51.74852

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IS42SM32200M-6BLI
IS42SM32200M-6BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥28.84843

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合计: ¥6,923.62416

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IS42SM16160K-6BLI-TR
IS42SM16160K-6BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥41.49130

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IS46DR16160B-25DBLA2-TR
IS46DR16160B-25DBLA2-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥51.75903

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合计: ¥129,397.57750

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IS42S83200G-7TLI
IS42S83200G-7TLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥57.30583

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合计: ¥12,378.05820

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IS46DR16160B-25DBLA1-TR
IS46DR16160B-25DBLA1-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥41.49130

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2-3 工作日

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合计: ¥103,728.25000

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IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR
IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥29.19525

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2-3 工作日

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合计: ¥72,988.11500

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IS42S16160J-6BLI
IS42S16160J-6BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥19.89190

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合计: ¥6,922.38155

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IS43LR16400C-6BLI
IS43LR16400C-6BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x10)

¥26.11598

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合计: ¥7,834.79340

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IS25LP040E-JNLE
IS25LP040E-JNLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥1.32690

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合计: ¥1.32690

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IS64WV12816DBLL-12CTLA3
IS64WV12816DBLL-12CTLA3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥60.33698

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合计: ¥8,145.49203

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IS42S32400F-6TLI
IS42S32400F-6TLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥17.81246

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2-3 工作日

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合计: ¥3,847.49222

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IS43LR32400G-6BLI
IS43LR32400G-6BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥39.70469

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合计: ¥9,529.12656

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IS43DR86400D-25DBLI
IS43DR86400D-25DBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5)

¥59.36353

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合计: ¥14,365.97499

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IS43R32800D-6BL
IS43R32800D-6BL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 144-LFBGA (12x12)

¥46.26259

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合计: ¥8,743.62951

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IS42VM16160K-6BLI
IS42VM16160K-6BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥55.78916

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