品牌介绍
ISSI （芯成半导体有限公司）是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头，如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司，公司总部设在美国加州Santa Clara，在美国、欧洲拥有分公司，在台湾有合资企业，在中国香港设有子公司，销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品，产品都是由代工服务商代为生产，台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥75.65752 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,263.12144 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥44.40332 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,994.44861 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13) | ¥43.67727 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥109,193.16250 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥43.67727 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥109,193.16250 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5) | ¥27.36006 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,621.13331 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥167.20532 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥24,077.56550 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥57.00325 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥12,312.70092 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥40.36679 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8,719.22642 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥54.60857 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11,795.45090 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x13) | ¥76.98171 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥192,454.26500 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥317.60603 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥33,348.63263 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x10) | ¥77.08680 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥154,173.60000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥103.06140 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥13,913.28860 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥317.60603 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥33,348.63263 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥317.60603 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥33,348.63263 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥317.60603 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥33,348.63263 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥317.60603 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥33,348.63263 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥317.60603 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥33,348.63263 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 2.3V ~ 3V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥77.30750 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥193,268.74750 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥42.60530 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14,826.64510 | 立即购买 加入购物车 |