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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: IDT, Integrated Device Technology Inc

中文全称: IDT公司

英文简称: IDT

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
71V2556S100PF
71V2556S100PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥10.86435

3638

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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71V2576S150PF
71V2576S150PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥10.86435

3186

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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6116LA45TPG
6116LA45TPG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-PDIP

¥20.28012

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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6116LA20SO
6116LA20SO
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOIC

¥20.28012

306

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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71V3558XS133PFGI
71V3558XS133PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥10.86435

2699

5-7 工作日

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合计: ¥2,183.73435

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6116LA35SO
6116LA35SO
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOIC

¥20.28012

184

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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71V3576YS150PF
71V3576YS150PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥10.86435

2455

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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6116SA25SO
6116SA25SO
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOIC

¥20.28012

165

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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71V2576YS150PFG
71V2576YS150PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥10.86435

2336

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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71V35761S183PFI
71V35761S183PFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 183 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥10.86435

1837

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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71V256S12YG
71V256S12YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥5.79432

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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QS3257S1G
QS3257S1G
种类: 多路复用器/多路分解器 集成电路: 4 x 2:1 电源电压: 4.75伏~5.25伏 电压供应源: 单电源 供应商设备包装: 16-SOIC 安装类别: 表面安装

¥2.39016

17600

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,155.92161

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71V3577YS85PF
71V3577YS85PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥10.86435

1252

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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QS3126S1G
QS3126S1G
种类: 总线开关 集成电路: 1 x 1:1 电源电压: 4.75伏~5.25伏 电压供应源: 单电源 供应商设备包装: 14-SOIC 安装类别: 表面安装

¥2.39016

8472

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,155.92161

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QS3125S1G
QS3125S1G
种类: 总线开关 集成电路: 1 x 1:1 电源电压: 4.75伏~5.25伏 电压供应源: 单电源 供应商设备包装: 14-SOIC 安装类别: 表面安装

¥2.39016

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥236.62554

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6116SA45TPI
6116SA45TPI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-PDIP

¥21.29413

377

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.00085

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QS3244SOG
QS3244SOG
种类: 总线开关 集成电路: 4 x 1:1 电源电压: 4.75伏~5.25伏 电压供应源: 单电源 供应商设备包装: 20-SOIC 安装类别: 表面安装

¥2.96959

21837

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,197.49586

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6116SA20SOI
6116SA20SOI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOIC

¥21.29413

326

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.00085

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QS3L384QG
QS3L384QG
种类: 总线FET交换开关 集成电路: 5 x 1:1 电源电压: 4.75伏~5.25伏 电压供应源: 单电源 供应商设备包装: 24-QSOP 安装类别: 表面安装

¥2.96959

19809

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,197.49586

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QS3253S1G
QS3253S1G
种类: 多路复用器/多路分解器 集成电路: 2 x 4:1 电源电压: 4.75伏~5.25伏 电压供应源: 单电源 供应商设备包装: 16-SOIC 安装类别: 表面安装

¥2.96959

5455

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,197.49586

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