品牌介绍
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者，瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案，帮助塑造无限的未来。
英文全称: IDT, Integrated Device Technology Inc
中文全称: IDT公司
英文简称: IDT
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥163.07510 | 65 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,283.05144 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥124.99937 | 24 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,749.99122 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (32K x 32) 电源电压: 3.135V ~ 3.63V 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥24.62586 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,191.70154 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥164.19654 | 17 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,791.34123 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥171.36701 | 42 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,227.77118 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (32K x 32) 电源电压: 3.135V ~ 3.63V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥24.62586 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,191.70154 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥171.36701 | 24 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,227.77118 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥172.13425 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,237.74521 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥173.32260 | 16 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,773.16155 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥173.32260 | 14 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,426.51636 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥180.63793 | 52 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,348.29304 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥181.07250 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ | ¥29.98561 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,188.94924 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥181.07250 | 17 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ | ¥22.79499 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,664.03442 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥29.98561 | 176 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,188.94924 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥132.68993 | 242 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,255.72878 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP | ¥144.85800 | 135 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,317.72800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP | ¥154.49106 | 107 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,317.36586 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥143.27530 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,149.12955 | 立即购买 加入购物车 |