品牌介绍
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者，瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案，帮助塑造无限的未来。
英文全称: IDT, Integrated Device Technology Inc
中文全称: IDT公司
英文简称: IDT
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（512K x 18） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15) | ¥113.42381 | 499 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,268.47628 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（512K x 18） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥107.19492 | 75 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,251.09332 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15) | ¥113.42381 | 377 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,268.47628 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥107.19492 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,251.09332 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥43.45740 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（512K x 18） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥106.46071 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,235.67485 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（512K x 18） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥107.19492 | 27 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,894.26284 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥112.65077 | 84 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,253.01544 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥22.64786 | 677 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,675.94164 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15) | ¥113.42381 | 28 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,268.47628 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥29.76832 | 633 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,202.85561 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥29.76832 | 612 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,202.85561 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（512K x 18） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15) | ¥113.42381 | 294 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,268.47628 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥86.39817 | 181 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,727.96342 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥48.38257 | 82 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.21574 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（512K x 18） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥114.16413 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,739.93919 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（512K x 18） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥117.98684 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,241.74998 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥22.64786 | 564 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,675.94164 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP | ¥118.20413 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,245.87843 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥29.57359 | 416 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,188.44536 | 立即购买 加入购物车 |