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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: IDT, Integrated Device Technology Inc

中文全称: IDT公司

英文简称: IDT

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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71V65703S85BQG
71V65703S85BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥103.79076

104

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合计: ¥2,179.60590

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71256SA25Y
71256SA25Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥4.34574

0

5-7 工作日

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合计: ¥482.37714

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71016S12Y
71016S12Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥9.70549

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5-7 工作日

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合计: ¥223.22618

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71024S12Y
71024S12Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥9.70549

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合计: ¥786.14437

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71016S12PHI
71016S12PHI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥9.70549

0

5-7 工作日

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合计: ¥58.23292

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71016S20PHI
71016S20PHI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥9.70549

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5-7 工作日

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合计: ¥1,465.52839

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71024S20TYI
71024S20TYI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥9.70549

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5-7 工作日

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合计: ¥58.23292

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71V67903S80PFG
71V67903S80PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥69.19421

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2-3 工作日

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合计: ¥1,453.07831

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71024S20Y
71024S20Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥9.70549

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,387.88450

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71V65803S150PFGI
71V65803S150PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥81.61637

2672

2-3 工作日

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合计: ¥1,713.94381

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71016S15PH
71016S15PH
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥9.70549

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5-7 工作日

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合计: ¥1,484.93936

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71256SA12YGI
71256SA12YGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥4.34574

0

5-7 工作日

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合计: ¥582.32916

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71V67603S150PFG
71V67603S150PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥107.19492

219

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合计: ¥2,251.09332

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71024S15TY
71024S15TY
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥9.70549

0

5-7 工作日

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合计: ¥504.68527

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71016S12PHGI
71016S12PHGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥9.70549

0

5-7 工作日

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合计: ¥252.34264

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71016S15YI
71016S15YI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥9.70549

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,494.64484

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71024S12TYI
71024S12TYI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥9.70549

0

5-7 工作日

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合计: ¥397.92493

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71V416L10BEI
71V416L10BEI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥19.26611

1410

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合计: ¥2,177.07088

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71V416VL15BEG
71V416VL15BEG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥19.26611

494

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合计: ¥2,177.07088

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71V67603S166PF
71V67603S166PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥32.59305

5145

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合计: ¥2,183.73435

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