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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: IDT, Integrated Device Technology Inc

中文全称: IDT公司

英文简称: IDT

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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71V3557S75BG
71V3557S75BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥39.54623

10063

5-7 工作日

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合计: ¥2,175.04287

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71V3557S85BG
71V3557S85BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥39.54623

817

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,175.04287

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71V3556SA133BG
71V3556SA133BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥39.54623

527

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,175.04287

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71V3559S75BQ
71V3559S75BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥39.54623

189

5-7 工作日

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合计: ¥2,175.04287

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71V3579S65PFG
71V3579S65PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥39.90838

652

5-7 工作日

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合计: ¥2,194.96084

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71256SA25TPI
71256SA25TPI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP

¥7.24290

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥28.97160

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71V3556S166PFGI
71V3556S166PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥41.57425

233

5-7 工作日

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合计: ¥2,203.43504

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71256SA12TP
71256SA12TP
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP

¥7.24290

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥738.77580

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71V3559S80BQI
71V3559S80BQI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥42.00882

1179

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,184.45864

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71V3577S85BGI
71V3577S85BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥42.00882

740

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,184.45864

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71V3577S80BGGI
71V3577S80BGGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥42.00882

619

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,184.45864

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71V3556SA133BGI
71V3556SA133BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥42.00882

296

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,184.45864

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71V2556SA133BGI
71V2556SA133BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥42.00882

202

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,184.45864

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71V3577S80BGI
71V3577S80BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥42.00882

192

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,184.45864

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71V3558S133PFGI
71V3558S133PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥42.95040

7977

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合计: ¥2,190.47025

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71V546S133PFGI
71V546S133PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥42.95040

1425

5-7 工作日

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合计: ¥2,190.47025

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71V3558S100PFGI
71V3558S100PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥42.95040

594

5-7 工作日

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合计: ¥2,190.47025

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71V3579S80PFGI
71V3579S80PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥42.95040

251

5-7 工作日

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合计: ¥2,190.47025

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71256L35YI
71256L35YI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥7.74990

0

5-7 工作日

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合计: ¥596.74253

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71V67603ZS133PFG
71V67603ZS133PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥43.45740

293

5-7 工作日

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合计: ¥2,172.87000

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