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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: IDT, Integrated Device Technology Inc

中文全称: IDT公司

英文简称: IDT

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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71V65903S85PFG
71V65903S85PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥77.35417

305

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合计: ¥2,243.27099

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71V65803S100PFG
71V65803S100PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥77.35417

34

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合计: ¥2,630.04185

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71V65803S150PFG
71V65803S150PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥77.35417

271

5-7 工作日

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合计: ¥2,243.27099

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6116SA150DB
6116SA150DB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥86.91480

0

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合计: ¥2,172.87000

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6116SA90TDB
6116SA90TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥86.91480

74

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合计: ¥2,172.87000

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6116LA90TDB
6116LA90TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥86.91480

0

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6116LA45DB
6116LA45DB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥86.91480

0

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合计: ¥2,172.87000

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6116SA120TDB
6116SA120TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥86.91480

0

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合计: ¥2,172.87000

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6116SA45DB
6116SA45DB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥86.91480

0

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6116SA45TDB
6116SA45TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥86.91480

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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6116LA70TDB
6116LA70TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥86.91480

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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71V65903S85BQG
71V65903S85BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥103.79076

67

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合计: ¥2,179.60590

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71V67703S85BQG
71V67703S85BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥103.79076

65

5-7 工作日

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合计: ¥2,179.60590

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71V3577S75BQG
71V3577S75BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥33.82434

259

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- +

合计: ¥2,198.58230

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71V3557S75PFG
71V3557S75PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥33.82434

102

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,198.58230

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71V416L15BEGI
71V416L15BEGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥34.40378

487

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合计: ¥2,201.84160

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71V35761S166PFGI
71V35761S166PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥36.14207

629

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合计: ¥2,204.66633

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71V3557S85PFGI
71V3557S85PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥36.79393

372

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合计: ¥2,207.63592

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71V3557S80PFGI
71V3557S80PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥36.79393

140

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合计: ¥2,207.63592

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71V3556S133PFGI
71V3556S133PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥39.11166

556

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合计: ¥2,190.25296

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