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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: IDT, Integrated Device Technology Inc

中文全称: IDT公司

英文简称: IDT

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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品牌型号
描述
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71V3579YS85PF
71V3579YS85PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥14.55823

658

5-7 工作日

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合计: ¥2,183.73435

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71V3558XS133PFI
71V3558XS133PFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥14.55823

641

5-7 工作日

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合计: ¥2,183.73435

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71V25761S166PFI
71V25761S166PFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥14.55823

582

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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71V35761S166PF
71V35761S166PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥14.55823

566

5-7 工作日

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合计: ¥2,183.73435

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71V3576S133PF
71V3576S133PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥14.55823

548

5-7 工作日

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合计: ¥2,183.73435

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71V3578YS133PFG
71V3578YS133PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥14.55823

450

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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7164S20YG
7164S20YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥24.33614

2890

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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7164L20YG
7164L20YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥24.33614

1151

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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7164S20TPG
7164S20TPG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP

¥24.33614

357

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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71V3577S85PFG
71V3577S85PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥26.58144

4501

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.67833

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71V3576S150PFG
71V3576S150PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥26.58144

144

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.67833

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7164L20YGI
7164L20YGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥27.59545

2618

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.04047

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7164S25YG
7164S25YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥27.59545

184

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.04047

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71V547S80PFG
71V547S80PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥27.81274

1822

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,197.20614

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71V547S100PFG
71V547S100PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥27.81274

1073

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,197.20614

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71V632S7PFG
71V632S7PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 32) 电源电压: 3.135V ~ 3.63V 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥27.88517

140

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,175.04287

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71V547S100PFGI
71V547S100PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥29.55103

179

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,186.77637

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71V546S133PFG
71V546S133PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥29.76832

10513

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,202.85561

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71V3579S85PFG
71V3579S85PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥29.76832

3077

5-7 工作日

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合计: ¥2,202.85561

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71V3557S85PFG
71V3557S85PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥33.82434

1087

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,198.58230

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