久芯网

71V632S7PFG

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 32) 电源电压: 3.135V ~ 3.63V 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)
  • 品牌: IDT公司 (IDT)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 78

  • 库存: 140
  • 单价: ¥27.88517
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,175.04
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 安装类别 表面安装
  • 存储接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 存储格式 SRAM
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 技术 SRAM-同步,SDR
  • 包装/外壳 100-LQFP
  • 制造厂商 IDT公司 (IDT)
  • 供应商设备包装 100-TQFP(14x14)
  • 时钟频率 66 MHz
  • 存储容量 2Mb (64K x 32)
  • 电源电压 3.135V ~ 3.63V
  • 访达时期 7 ns

71V632S7PFG 产品详情

The 71V632S7PFG 3.3V CMOS SRAM is organized as 64K x 32. The pipelined burst architecture provides cost-effective 3-1-1-1 secondary cache performance for processors up to 117MHz. The 71V632S7PFG SRAM contains write, data, address, and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.

Feature

  • High system speed 4.5ns clock access time (117 MHz)
  • Single-cycle deselect functionality (Compatible with
  • Micron Part # MT58LC64K32D7LG-XX)
  • LBO input selects interleaved or linear burst mode
  • Self-timed write cycle with global write control (GW), byte
  • write enable (BWE), and byte writes (BWx)
  • Power down controlled by ZZ input
  • Operates with a single 3.3V power supply (+10/-5%)
  • Available in 100-pin TQFP package


71V632S7PFG所属分类:存储器,71V632S7PFG 由 IDT公司 (IDT) 设计生产,可通过久芯网进行购买。71V632S7PFG价格参考¥27.885165,你可以下载 71V632S7PFG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询71V632S7PFG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

IDT公司 (IDT)

IDT公司 (IDT)

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部