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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: IDT, Integrated Device Technology Inc

中文全称: IDT公司

英文简称: IDT

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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71V3578YS133PF
71V3578YS133PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥14.55823

359

5-7 工作日

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合计: ¥2,183.73435

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71V416VS10PHG
71V416VS10PHG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥14.55823

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,183.73435

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71V416S12YI
71V416S12YI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥14.55823

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,183.73435

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71V35761S200PF
71V35761S200PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥14.55823

280

5-7 工作日

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合计: ¥2,183.73435

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71V3559S75PFGI
71V3559S75PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥14.55823

0

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71V416S12Y
71V416S12Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥14.55823

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,183.73435

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71V416L15PHI
71V416L15PHI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥14.55823

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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71V3576YS133PFG
71V3576YS133PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥14.55823

226

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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71V424YL10PH
71V424YL10PH
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥14.55823

199

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,897.08757

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6116SA35TP
6116SA35TP
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-PDIP

¥20.28012

778

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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71V3577S85PF
71V3577S85PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥10.86435

5088

5-7 工作日

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合计: ¥2,183.73435

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71V2556S100PF
71V2556S100PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥10.86435

3638

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合计: ¥2,183.73435

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71V2576S150PF
71V2576S150PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥10.86435

3186

5-7 工作日

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合计: ¥2,183.73435

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6116LA45TPG
6116LA45TPG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-PDIP

¥20.28012

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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6116LA20SO
6116LA20SO
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOIC

¥20.28012

306

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- +

合计: ¥2,190.25296

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71V3558XS133PFGI
71V3558XS133PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥10.86435

2699

5-7 工作日

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合计: ¥2,183.73435

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6116LA35SO
6116LA35SO
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOIC

¥20.28012

184

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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71V3576YS150PF
71V3576YS150PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥10.86435

2455

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6116SA25SO
6116SA25SO
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOIC

¥20.28012

165

5-7 工作日

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合计: ¥2,190.25296

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71V2576YS150PFG
71V2576YS150PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥10.86435

2336

5-7 工作日

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