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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: IDT, Integrated Device Technology Inc

中文全称: IDT公司

英文简称: IDT

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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71V547S75PFG
71V547S75PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥12.02321

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,176.20173

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71V124SA15YI
71V124SA15YI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥12.02321

437

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.20173

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71V124SA10YGI
71V124SA10YGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥12.02321

226

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.20173

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71V546XS133PF
71V546XS133PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥12.02321

388

5-7 工作日

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合计: ¥2,176.20173

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71V547S80PF
71V547S80PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥12.02321

360

5-7 工作日

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合计: ¥2,176.20173

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71V3556S133PFG
71V3556S133PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥29.76832

2256

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合计: ¥2,202.85561

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71V2546S100PFG
71V2546S100PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥29.76832

2122

5-7 工作日

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合计: ¥2,202.85561

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71V65903S80BQG
71V65903S80BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥103.79076

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,179.60590

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71V67903S80BQI
71V67903S80BQI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥113.42381

499

5-7 工作日

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合计: ¥2,268.47628

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71V65803S100PFGI
71V65803S100PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥107.19492

75

5-7 工作日

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合计: ¥2,251.09332

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71V65703S85BQI
71V65703S85BQI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥113.42381

377

5-7 工作日

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合计: ¥2,268.47628

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71V67603S133PFG
71V67603S133PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥107.19492

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,251.09332

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71V65603S133PFI
71V65603S133PFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥43.45740

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,172.87000

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71V67803S150PFG
71V67803S150PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥106.46071

0

2-3 工作日

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合计: ¥2,235.67485

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71V65803S133PFGI
71V65803S133PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥107.19492

27

5-7 工作日

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合计: ¥2,894.26284

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71V65603S133BGGI
71V65603S133BGGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥112.65077

84

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合计: ¥2,253.01544

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71V3559S80BG
71V3559S80BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥22.64786

677

2-3 工作日

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合计: ¥1,675.94164

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71V67703S85BQI
71V67703S85BQI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥113.42381

28

5-7 工作日

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合计: ¥2,268.47628

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71V3558S133PFG
71V3558S133PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥29.76832

633

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合计: ¥2,202.85561

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71V2546S150PFG
71V2546S150PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥29.76832

612

5-7 工作日

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合计: ¥2,202.85561

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