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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: IDT, Integrated Device Technology Inc

中文全称: IDT公司

英文简称: IDT

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

久芯自营
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品牌型号
描述
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71V35761S183PFI
71V35761S183PFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 183 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥10.86435

1837

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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71V256S12YG
71V256S12YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥5.79432

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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71V3577YS85PF
71V3577YS85PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥10.86435

1252

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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6116SA45TPI
6116SA45TPI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-PDIP

¥21.29413

377

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.00085

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6116SA20SOI
6116SA20SOI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOIC

¥21.29413

326

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.00085

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71T75802S100PFI8
71T75802S100PFI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥48.38257

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.21574

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71P74604S250BQ
71P74604S250BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥48.38257

486

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.21574

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71T75602S100PF
71T75602S100PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥48.38257

428

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.21574

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71P74604S200BQ
71P74604S200BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥48.38257

389

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.21574

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71T75602S100PFG
71T75602S100PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥48.38257

219

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.21574

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71T75802S100PFGI
71T75802S100PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥48.38257

209

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.21574

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71P72804S200BQG
71P72804S200BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥48.38257

161

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.21574

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71T75602S166PF
71T75602S166PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥48.38257

133

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.21574

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71P72604S167BQG
71P72604S167BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥48.38257

127

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.21574

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71V416VL15PHG
71V416VL15PHG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥31.43419

130

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,200.39302

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71024S15YI
71024S15YI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥7.24290

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.11290

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71V124SA15TY
71V124SA15TY
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥11.58864

643

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.66432

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71V547S100PF
71V547S100PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥12.02321

4131

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.20173

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71V546S133PF
71V546S133PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥12.02321

986

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.20173

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71V546S100PF
71V546S100PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥12.02321

676

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.20173

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