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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: IDT, Integrated Device Technology Inc

中文全称: IDT公司

英文简称: IDT

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

久芯自营
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品牌型号
描述
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71V424L12PHG
71V424L12PHG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥31.86876

1785

5-7 工作日

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合计: ¥2,198.94444

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71V416L10BE
71V416L10BE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥32.30333

406

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,196.62671

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71V416S10BE
71V416S10BE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥32.30333

381

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,196.62671

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71V124SA10TYG8
71V124SA10TYG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥11.65498

125

2-3 工作日

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合计: ¥2,191.13586

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71V124SA10YG
71V124SA10YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥11.58864

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.66432

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7164L20TPGI
7164L20TPGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP

¥11.58864

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.66432

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71V016SA10YG
71V016SA10YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥8.82794

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,659.65197

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71V016SA12YG
71V016SA12YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥11.51836

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,004.19377

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71V3577YS75PFG
71V3577YS75PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥26.58144

1000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.67833

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71016S15PHG
71016S15PHG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥13.03722

672

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.21574

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71024S20YG
71024S20YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥13.03722

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.21574

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71V256SA15YGI
71V256SA15YGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥13.54422

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.61990

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71V3576YS150PFG
71V3576YS150PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥14.55823

4995

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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71V416YS15PHG
71V416YS15PHG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥14.55823

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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71V256SA12PZG
71V256SA12PZG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP

¥10.66709

4926

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,664.06604

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71V67603S133PF
71V67603S133PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥43.45740

219

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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71V256SA12PZG8
71V256SA12PZG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP

¥10.66709

2000

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,664.06604

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71V3558XS133PF
71V3558XS133PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥14.55823

1535

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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71024S12YGI
71024S12YGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥13.97880

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.69233

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71V65703S80BG
71V65703S80BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥103.79076

1527

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.60590

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