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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: IDT, Integrated Device Technology Inc

中文全称: IDT公司

英文简称: IDT

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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71V416L12YG8
71V416L12YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥29.98561

0

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合计: ¥2,188.94924

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71T75602S166BGI
71T75602S166BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥181.07250

17

5-7 工作日

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合计: ¥2,172.87000

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71V416S15YG
71V416S15YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥22.79499

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2-3 工作日

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合计: ¥1,664.03442

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71V424S15PHGI
71V424S15PHGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥29.98561

176

5-7 工作日

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合计: ¥2,188.94924

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71V67603S166PFG
71V67603S166PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥132.68993

242

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合计: ¥2,255.72878

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71256S85DB
71256S85DB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥144.85800

135

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合计: ¥2,317.72800

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71256L55TDB
71256L55TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥154.49106

107

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,317.36586

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71T75802S166PFG
71T75802S166PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥143.27530

0

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合计: ¥2,149.12955

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7164L25YGI
7164L25YGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥30.14110

0

2-3 工作日

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合计: ¥2,170.15898

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71V3556S166PFG
71V3556S166PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥23.53065

3773

2-3 工作日

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合计: ¥1,670.67643

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71V3558S166PFG
71V3558S166PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥30.64555

180

2-3 工作日

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合计: ¥2,175.83405

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71V3559S75PFG
71V3559S75PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥30.85475

142

5-7 工作日

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合计: ¥2,190.68753

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71T75802S100BG
71T75802S100BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.19654

159

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,298.75160

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71T75602S100BG
71T75602S100BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.19654

132

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,298.75160

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6116LA25TBD
6116LA25TBD
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥86.91480

28

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,433.61440

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71V416L15BEG8
71V416L15BEG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥31.59140

0

2-3 工作日

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合计: ¥2,211.39800

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71V416L15BEG
71V416L15BEG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥31.22357

345

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,185.64990

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71V67703S80PF
71V67703S80PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥43.45740

259

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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71V65603ZS133PF
71V65603ZS133PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥43.45740

234

5-7 工作日

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合计: ¥2,172.87000

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71V3577S80PFGI
71V3577S80PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥31.43419

172

5-7 工作日

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合计: ¥2,200.39302

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