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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: IDT, Integrated Device Technology Inc

中文全称: IDT公司

英文简称: IDT

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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71V67603S150PFG
71V67603S150PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥107.19492

219

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合计: ¥2,251.09332

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71024S15TY
71024S15TY
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥9.70549

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5-7 工作日

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合计: ¥504.68527

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71016S12PHGI
71016S12PHGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥9.70549

0

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合计: ¥252.34264

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71016S15YI
71016S15YI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥9.70549

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合计: ¥1,494.64484

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71024S12TYI
71024S12TYI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥9.70549

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合计: ¥397.92493

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71V416L10BEI
71V416L10BEI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥19.26611

1410

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合计: ¥2,177.07088

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71V416VL15BEG
71V416VL15BEG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥19.26611

494

5-7 工作日

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合计: ¥2,177.07088

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71V67603S166PF
71V67603S166PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥32.59305

5145

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合计: ¥2,183.73435

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71V65703S85PF
71V65703S85PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥32.59305

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合计: ¥2,183.73435

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71124S20YG
71124S20YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥12.87407

523

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合计: ¥1,660.75555

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71V016SA10BF
71V016SA10BF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥17.09324

1063

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71T75802S100PFI
71T75802S100PFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥48.38257

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71P74804S200BQG
71P74804S200BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥48.38257

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71T75602S133PF
71T75602S133PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥48.38257

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71V016SA20BFI
71V016SA20BFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥17.38296

859

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合计: ¥2,172.87000

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71V016SA12BFI
71V016SA12BFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥17.38296

149

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合计: ¥2,172.87000

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71256SA20TPGI
71256SA20TPGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP

¥17.45539

73

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71T75802S133PF
71T75802S133PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥48.38257

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合计: ¥48.38257

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71V016SA20YGI
71V016SA20YGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥18.03482

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71V016SA12YGI8
71V016SA12YGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥18.03482

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