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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: IDT, Integrated Device Technology Inc

中文全称: IDT公司

英文简称: IDT

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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71P74604S200BQG
71P74604S200BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥48.38257

45

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合计: ¥2,177.21574

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71256SA15YI
71256SA15YI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥5.79432

0

5-7 工作日

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合计: ¥521.48880

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71256SA12Y
71256SA12Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥5.79432

0

5-7 工作日

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合计: ¥863.35368

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71256TTSA15Y
71256TTSA15Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥5.79432

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5-7 工作日

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合计: ¥278.12736

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71V256SA10YG
71V256SA10YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥5.79432

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5-7 工作日

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合计: ¥156.44664

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71V256SA12YI
71V256SA12YI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥5.79432

0

5-7 工作日

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合计: ¥214.38984

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71V256SA15Y
71V256SA15Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥5.79432

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,755.67896

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71V256SA15YI
71V256SA15YI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥5.79432

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥220.18416

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71V016SA20PHGI
71V016SA20PHGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥19.12126

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.82318

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71V256SA20YI
71V256SA20YI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥5.79432

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥301.30464

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71V321L25TF
71V321L25TF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (10x10)

¥94.66470

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5-7 工作日

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合计: ¥1,893.29406

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6116SA20TPGI
6116SA20TPGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-PDIP

¥19.12126

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,179.82318

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71V016SA12PHGI
71V016SA12PHGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥19.12126

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,485.76328

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71V124SA15YGI8
71V124SA15YGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥19.19369

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,188.08009

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71V016SA12BFG8
71V016SA12BFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥19.70069

4240

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,186.77637

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71V016SA20BFG8
71V016SA20BFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥15.00749

4000

2-3 工作日

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合计: ¥1,665.83161

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71V016SA20BFG
71V016SA20BFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥19.70069

3349

5-7 工作日

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合计: ¥2,186.77637

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71V016SA12BFG
71V016SA12BFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥19.70069

421

5-7 工作日

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合计: ¥2,186.77637

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71256SA12PZG
71256SA12PZG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP

¥20.14661

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2-3 工作日

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合计: ¥2,175.83410

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71256SA20PZG8
71256SA20PZG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP

¥20.28012

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