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71V424YL10PH

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II
  • 品牌: IDT公司 (IDT)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 199

数量 单价 合计
199+ 14.55822 2897.08757
  • 库存: 199
  • 单价: ¥14.55823
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,897.09
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规格参数

  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 存储格式 SRAM
  • 技术 SRAM-异步
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 存储容量 4Mb (512K x 8)
  • 电源电压 3V~3.6V
  • 单字、单页写入耗时 10ns
  • 访达时期 10纳秒
  • 包装/外壳 44-TSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
  • 供应商设备包装 44-TSOP II
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商 IDT公司 (IDT)

71V424YL10PH 产品详情

The 71V424YS15PHI8 3.3V CMOS SRAM is organized as 512K x 8. All bidirectional inputs and outputs of the 71V424YS15PHI8 are TTL-compatible and operation is from a single 3.3V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refresh for operation.

Feature

  • JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise
  • Equal access and cycle times
  • — Commercial and Industrial: 10/12/15ns
  • Single 3.3V power supply
  • One Chip Select plus one Output Enable pin
  • Bidirectional data inputs and outputs directly
  • TTL-compatible
  • Low power consumption via chip deselect
  • Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ and 44-pin, 400 mil TSOP packages


71V424YL10PH所属分类:存储器,71V424YL10PH 由 IDT公司 (IDT) 设计生产,可通过久芯网进行购买。71V424YL10PH价格参考¥14.558229,你可以下载 71V424YL10PH中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询71V424YL10PH规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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