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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: IDT, Integrated Device Technology Inc

中文全称: IDT公司

英文简称: IDT

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

久芯自营
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描述
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71V016SA12BFGI
71V016SA12BFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥20.56984

3924

5-7 工作日

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合计: ¥2,180.40262

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71V65903S80PFG
71V65903S80PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥77.35417

100

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合计: ¥2,243.27099

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71V65703S85PFG
71V65703S85PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥77.35417

376

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,243.27099

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71V016SA10BFGI
71V016SA10BFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥20.56984

299

5-7 工作日

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合计: ¥2,180.40262

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71V67703S80PFG
71V67703S80PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥77.35417

95

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合计: ¥2,243.27099

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71V65603S150PFG
71V65603S150PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥77.35417

326

5-7 工作日

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合计: ¥2,243.27099

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71V65703S80PFG
71V65703S80PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥77.35417

63

5-7 工作日

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合计: ¥2,243.27099

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71V65903S85PFG
71V65903S85PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥77.35417

305

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,243.27099

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71V65803S100PFG
71V65803S100PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥77.35417

34

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,630.04185

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71V65803S150PFG
71V65803S150PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥77.35417

271

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,243.27099

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6116SA150DB
6116SA150DB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥86.91480

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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6116SA90TDB
6116SA90TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥86.91480

74

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- +

合计: ¥2,172.87000

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6116LA90TDB
6116LA90TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥86.91480

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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6116LA45DB
6116LA45DB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥86.91480

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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6116SA120TDB
6116SA120TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥86.91480

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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6116SA45DB
6116SA45DB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥86.91480

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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6116SA45TDB
6116SA45TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥86.91480

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,172.87000

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6116LA70TDB
6116LA70TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥86.91480

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,172.87000

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71V65903S85BQG
71V65903S85BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥103.79076

67

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.60590

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71V67703S85BQG
71V67703S85BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥103.79076

65

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