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品牌介绍

为满足客户应用的不同需求,我们的SLC NAND闪存产品提供多种容量及封装形式的选择。SLC NAND,凭借其快速的读写性能和高可靠性,广泛应用于从消费类到工业的各种产品中。不仅于此,与NOR型闪存相比,SLC NAND可以为设计带来显著成本优势。 铠侠作为闪存产业的领导者积极将先进的工艺引入SLC NAND闪存产品中。除此以外,内建ECC的SLC NAND—BE NANDTM和串行接口的SLC NAND也已面市。因此,客户可以根据设计中主控的ECC能力和存储器接口灵活地选择合适地SLC NAND产品。

英文全称: KIOXIA

中文全称: 铠侠

英文简称: KIOXIA

品牌地址: https://business.kioxia.com.cn/zh-cn/memory/slc-nand.html

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TH58BYG2S3HBAI4
TH58BYG2S3HBAI4
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 供应商设备包装: 63-TFBGA (9x11)

¥56.49100

208

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TH58BVG2S3HBAI4
TH58BVG2S3HBAI4
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-TFBGA (9x11)

¥56.49100

204

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TH58NYG2S3HBAI4
TH58NYG2S3HBAI4
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-BGA (9x11)

¥56.49100

83

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TC58BYG2S0HBAI4
TC58BYG2S0HBAI4
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-TFBGA (9x11)

¥45.41153

87

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TH58BYG3S0HBAI6
TH58BYG3S0HBAI6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 67-VFBGA (6.5x8)

¥92.14852

0

2-3 工作日

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TH58NYG3S0HBAI4
TH58NYG3S0HBAI4
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-TFBGA (9x11)

¥83.09779

76

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TC58BYG0S3HBAI4
TC58BYG0S3HBAI4
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-TFBGA (9x11)

¥30.27460

18

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TC58BYG0S3HBAI6
TC58BYG0S3HBAI6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 67-VFBGA (6.5x8)

¥24.65700

27

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TC58BVG0S3HBAI4
TC58BVG0S3HBAI4
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-TFBGA (9x11)

¥25.90496

128

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TC58NYG2S0HBAI6
TC58NYG2S0HBAI6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 67-VFBGA (6.5x8)

¥40.80795

175

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TC58NVG2S0HBAI6
TC58NVG2S0HBAI6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 67-VFBGA (6.5x8)

¥40.80795

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TC58BVG2S0HTAI0
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥41.82195

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TC58BVG1S3HTA00
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥11.53794

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TC58NVG0S3HTA00
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥8.13233

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TC58NVG1S3HTA00
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥12.26453

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TC58BVG0S3HTA00
TC58BVG0S3HTA00
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥9.04131

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TC58NVG0S3HBAI4
TC58NVG0S3HBAI4
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-TFBGA (9x11)

¥23.80234

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TC58NVG1S3HTAI0
TC58NVG1S3HTAI0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥16.33168

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THGAMRG9T23BAIL
THGAMRG9T23BAIL
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 供应商设备包装: 153-WFBGA (11.5x13)

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THGBMNG5D1LBAIL
THGBMNG5D1LBAIL
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 153-WFBGA (11.5x13)

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