Advanced Linear Devices,Inc.(ALD)开发和制造超低功耗、精密CMOS模拟集成电路、相关板级产品和能量收集模块及配件,包括公司独有的EPAD?技术ALD的标准半导体产品包括一整套“同类最佳”超低电荷注入低压模拟开关、双斜坡a/D转换器和数字处理器、精密电压比较器、精密轨对轨CMOS运算放大器和具有高放电输出的低漂移CMOS定时器,以及广泛的增强、耗尽、,零阈值模式EPAD匹配小信号MOSFET阵列。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12毫安,3毫安 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥35.67273 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,783.63655 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥36.38978 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,819.48890 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 耗尽型 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12毫安,3毫安 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥36.74903 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,837.45130 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 耗尽型 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12毫安,3毫安 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥38.00350 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,900.17480 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥39.43759 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,971.87955 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80毫安 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥39.43759 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,971.87955 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥39.43759 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,971.87955 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80毫安 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥39.43759 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,971.87955 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥39.43759 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,971.87955 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80毫安 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥39.43759 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,971.87955 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥39.43759 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,971.87955 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12毫安,3毫安 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥39.97501 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,998.75070 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12毫安,3毫安 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥39.97501 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,998.75070 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 N-Channel, Matched Pair 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10伏 供应商设备包装: 16-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥40.15464 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,007.73190 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 N-Channel, Matched Pair 场效应管特性: 耗尽型 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12毫安,3毫安 供应商设备包装: 16-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥40.33426 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,016.71310 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 N-Channel, Matched Pair 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80毫安 供应商设备包装: 16-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥40.69206 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,034.60305 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 N-Channel, Matched Pair 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80毫安 供应商设备包装: 16-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥40.69206 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,034.60305 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 N-Channel, Matched Pair 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 供应商设备包装: 16-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥41.15850 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,057.92520 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 N-Channel, Matched Pair 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 供应商设备包装: 16-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥41.15850 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,057.92520 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 N-Channel, Matched Pair 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12毫安,3毫安 供应商设备包装: 16-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥41.15850 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,057.92520 | 添加到BOM 立即询价 |