品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15) | ¥53.38017 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.38017 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥153.20182 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥153.20182 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-LFBGA (8x13) | ¥60.15953 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥60.15953 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥28.60946 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.60946 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15) | ¥146.91498 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥146.91498 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥33.95472 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.95472 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥160.05360 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥160.05360 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15) | ¥134.97868 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥134.97868 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥129.80725 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥129.80725 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥43.70366 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.70366 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15) | ¥40.28501 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.28501 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥239.00121 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥239.00121 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥81.75786 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥81.75786 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥39.77801 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.77801 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥106.35474 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥106.35474 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13) | ¥25.06043 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.06043 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13) | ¥21.80113 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.80113 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13) | ¥36.99673 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.99673 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥22.77168 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.77168 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥56.03107 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.03107 | 添加到BOM 立即询价 |