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品牌介绍

Integrated Silicon Solution,Inc.(ISSI)是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(i)汽车,(ii)通信,(iii)数字消费品,以及(iv)工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场,并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品,包括低密度和小容量产品,即使在制造能力紧张的时期也是如此。

英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

中文全称: 芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/index.html

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品牌型号
描述
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IS61NLP51236-250B3I
IS61NLP51236-250B3I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥125.80917

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IS61LF51236A-7.5B3I-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥97.89504

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IS61NVF102418-6.5B3
IS61NVF102418-6.5B3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥123.92602

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IS61NVF102418-6.5B3I
IS61NVF102418-6.5B3I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥19.81657

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IS61LF51236A-7.5B3-TR
IS61LF51236A-7.5B3-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥235.17696

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IS62WV12816BLL-55B2I
IS62WV12816BLL-55B2I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥58.47918

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IS61NVF102418-7.5B3I
IS61NVF102418-7.5B3I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥93.85350

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IS61LPD102418A-200B3I-TR
IS61LPD102418A-200B3I-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥143.10522

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IS21ES32G-JQLI
IS21ES32G-JQLI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.3伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LFBGA(14x18)

¥47.22371

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IS61LPD102418A-250B3I-TR
IS61LPD102418A-250B3I-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥35.15704

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IS61NVF25672-6.5B1
IS61NVF25672-6.5B1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22)

¥54.11895

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IS61LPD102418A-250B3-TR
IS61LPD102418A-250B3-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥488.11352

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IS61NVF25672-6.5B1I
IS61NVF25672-6.5B1I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22)

¥22.17776

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IS61LPD51236A-200B3I-TR
IS61LPD51236A-200B3I-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥72.57386

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IS61NVF25672-7.5B1I
IS61NVF25672-7.5B1I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22)

¥814.52205

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IS61LPD51236A-250B3I-TR
IS61LPD51236A-250B3I-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥508.83690

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IS61LV12824-8BI
IS61LV12824-8BI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 3Mb (128K x 24) 电源电压: 3.135V ~ 3.63V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥38.56120

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IS61NVF51236-6.5B3
IS61NVF51236-6.5B3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥66.75057

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IS61LPD51236A-250B3-TR
IS61LPD51236A-250B3-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥6.54758

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IS61NVF51236-6.5B3I
IS61NVF51236-6.5B3I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥61.01419

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