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品牌介绍

Integrated Silicon Solution,Inc.(ISSI)是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(i)汽车,(ii)通信,(iii)数字消费品,以及(iv)工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场,并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品,包括低密度和小容量产品,即使在制造能力紧张的时期也是如此。

英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

中文全称: 芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/index.html

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IS61VF51236A-6.5B3I
IS61VF51236A-6.5B3I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥48.02043

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IS61VF51236A-7.5B3
IS61VF51236A-7.5B3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥64.62840

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IS61VF51236A-7.5B3I
IS61VF51236A-7.5B3I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥34.01266

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IS61VPD102418A-200B3
IS61VPD102418A-200B3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥34.04163

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IS61VPD102418A-200B3I
IS61VPD102418A-200B3I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥62.04268

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IS61VPD102418A-250B3
IS61VPD102418A-250B3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥67.95289

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IS61VPD102418A-250B3I
IS61VPD102418A-250B3I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥336.59205

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IS61VPD51236A-200B3
IS61VPD51236A-200B3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥38.38737

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IS61VPD51236A-200B3I
IS61VPD51236A-200B3I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥120.79709

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IS61VPD51236A-250B3
IS61VPD51236A-250B3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥42.34199

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IS61VPD51236A-250B3I
IS61VPD51236A-250B3I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥461.56105

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IS61VPS102418A-200B3
IS61VPS102418A-200B3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥10.22698

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IS61VPS102418A-200B3I
IS61VPS102418A-200B3I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥141.90290

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IS62WV5128EALL-55BLI
IS62WV5128EALL-55BLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8)

¥54.06101

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IS46TR16640B-125JBLA25
IS46TR16640B-125JBLA25
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥59.72495

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IS46TR16640BL-107MBLA1
IS46TR16640BL-107MBLA1
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥28.76880

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IS62WV5128EBLL-45QLI
IS62WV5128EBLL-45QLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥121.91249

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IS62WV5128EBLL-45QLI-TR
IS62WV5128EBLL-45QLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥44.89149

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IS43TR85120AL-107MBL-TR
IS43TR85120AL-107MBL-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-TWBGA (9x10.5)

¥25.61089

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IS46TR16256BL-107MBLA3-TR
IS46TR16256BL-107MBLA3-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥21.23618

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