品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥923.00620 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥923.00620 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15) | ¥40.77753 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.77753 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥22.27916 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.27916 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-VVSOP | ¥59.42075 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.42075 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥129.85071 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥129.85071 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15) | ¥61.92680 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61.92680 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-LFBGA（10x14） | ¥18.77360 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.77360 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥56.81331 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.81331 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥132.00910 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥132.00910 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-LFBGA（10x14） | ¥52.16337 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.16337 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥558.50002 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥558.50002 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15) | ¥75.34065 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥75.34065 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15) | ¥57.08854 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.08854 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥23.23522 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.23522 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥931.17620 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥931.17620 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥51.72879 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.72879 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥36.04067 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.04067 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥72.58834 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥72.58834 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥76.47054 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥76.47054 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥51.14936 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.14936 | 添加到BOM 立即询价 |