品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (32M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥49.93255 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.93255 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥25.85715 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.85715 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (32M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥62.08614 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥62.08614 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥27.98657 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.98657 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (32M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥90.05822 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥90.05822 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 | ¥782.56637 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥782.56637 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (32M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥54.69838 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.69838 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-LWBGA（9x13） | ¥161.12555 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥161.12555 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (32M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥51.29422 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.29422 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 | ¥59.76841 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.76841 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (32M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥70.57482 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥70.57482 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (6x8) | ¥22.11982 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.11982 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (32M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥76.41260 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥76.41260 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥40.24155 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.24155 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (6x8) | ¥66.12768 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥66.12768 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (64M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥10.51669 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.51669 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥14.64514 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.64514 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (64M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥42.79105 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥42.79105 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥28.47908 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.47908 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (64M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥50.83067 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.83067 | 添加到BOM 立即询价 |