品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥119.21813 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥119.21813 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥19.26611 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.26611 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥109.88928 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥109.88928 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥35.50470 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.50470 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22) | ¥26.78424 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.78424 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22) | ¥14.96383 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.96383 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22) | ¥35.18601 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.18601 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥104.05150 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥104.05150 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥489.12752 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥489.12752 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥109.91825 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥109.91825 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥484.60795 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥484.60795 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥127.90961 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥127.90961 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥14.79000 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.79000 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22) | ¥67.22860 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥67.22860 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22) | ¥69.34353 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥69.34353 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22) | ¥25.62538 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.62538 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥35.18601 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.18601 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥358.95812 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥358.95812 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥49.68629 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.68629 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥392.56518 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥392.56518 | 添加到BOM 立即询价 |