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品牌介绍

Integrated Silicon Solution,Inc.(ISSI)是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(i)汽车,(ii)通信,(iii)数字消费品,以及(iv)工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场,并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品,包括低密度和小容量产品,即使在制造能力紧张的时期也是如此。

英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

中文全称: 芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/index.html

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IS61NLF25672-6.5B1-TR
IS61NLF25672-6.5B1-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22)

¥18.96191

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IS25WP032A-JKLE-TR
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥134.99317

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IS61NVP102418-200TQLI
IS61NVP102418-200TQLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥53.82923

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IS61WV1288EEBLL-8TLI
IS61WV1288EEBLL-8TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥65.35993

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IS25WP032A-JMLE-TR
IS25WP032A-JMLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥17.87548

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IS61NVP102418-250B3
IS61NVP102418-250B3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥116.48032

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IS25LP080D-JVLE-TR
IS25LP080D-JVLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-VVSOP

¥28.13142

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IS61NVP102418-250B3I
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥66.85197

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IS25LP080D-JVLE
IS25LP080D-JVLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-VVSOP

¥7.61953

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IS61NVP25672-200B1
IS61NVP25672-200B1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22)

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IS25WP080D-JKLE-TR
IS25WP080D-JKLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥36.75048

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IS25WP128-RGLE
IS25WP128-RGLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)

¥56.92919

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IS25LQ010B-JDLE
IS25LQ010B-JDLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥21.09133

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IS61NVP25672-200B1I
IS61NVP25672-200B1I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22)

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IS25WQ020-JKLE-TR
IS25WQ020-JKLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

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IS25LQ020B-JDLE
IS25LQ020B-JDLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

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IS61NVP25672-250B1I
IS61NVP25672-250B1I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22)

¥3.88219

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IS25LQ025B-JDLE
IS25LQ025B-JDLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

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IS61NVP51236-200B3
IS61NVP51236-200B3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

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IS25LQ512B-JDLE
IS25LQ512B-JDLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

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