品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥66.54777 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥66.54777 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥137.97725 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥137.97725 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-USON (2x3) | ¥21.52590 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.52590 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥54.19138 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.19138 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥85.98771 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥85.98771 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥36.51870 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.51870 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥21.62730 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.62730 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15) | ¥77.60043 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77.60043 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥355.14836 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥355.14836 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥60.40579 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥60.40579 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15) | ¥22.81514 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.81514 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥81.17842 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥81.17842 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-VVSOP | ¥130.40117 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥130.40117 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥563.12099 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥563.12099 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥55.81379 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥55.81379 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥53.69886 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.69886 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥41.64668 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.64668 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥84.84333 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥84.84333 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥50.90310 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.90310 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥172.74317 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥172.74317 | 添加到BOM 立即询价 |