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品牌介绍

Integrated Silicon Solution,Inc.(ISSI)是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(i)汽车,(ii)通信,(iii)数字消费品,以及(iv)工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场,并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品,包括低密度和小容量产品,即使在制造能力紧张的时期也是如此。

英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

中文全称: 芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/index.html

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描述
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IS46DR81280C-3DBLA2-TR
IS46DR81280C-3DBLA2-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5)

¥33.57808

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IS25LP064-JMLE
IS25LP064-JMLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥165.57269

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合计: ¥165.57269

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IS61NLP25672-200B1I
IS61NLP25672-200B1I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22)

¥25.03146

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IS61LF102418A-6.5B3I-TR
IS61LF102418A-6.5B3I-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥17.48436

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IS39LV010-70JCE
IS39LV010-70JCE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-PLCC(11.43x13.97)

¥99.51745

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IS61NLP25672-250B1
IS61NLP25672-250B1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22)

¥21.42450

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IS61LF102418A-6.5B3-TR
IS61LF102418A-6.5B3-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥26.32070

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IS39LV010-70VCE
IS39LV010-70VCE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-VSOP

¥811.63937

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IS29LV032T-70TLI
IS29LV032T-70TLI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥490.34433

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IS29LV032B-70TLI
IS29LV032B-70TLI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥116.06023

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IS61NLP25672-250B1I
IS61NLP25672-250B1I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22)

¥39.92287

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IS61LF102418A-7.5B3I-TR
IS61LF102418A-7.5B3I-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥35.28741

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IS26KL512S-DABLI00
IS26KL512S-DABLI00
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 24-VFBGA (6x8)

¥39.14063

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IS61NLP51236-200B3I
IS61NLP51236-200B3I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥28.10245

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IS43DR16640A-3DBI
IS43DR16640A-3DBI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x13.65)

¥56.98714

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IS61LF51236A-6.5B3I-TR
IS61LF51236A-6.5B3I-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥64.50527

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IS61NLP51236-250B3
IS61NLP51236-250B3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥29.46412

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IS61LV6416-10BI
IS61LV6416-10BI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.135V ~ 3.63V 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥41.92191

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IS61LF51236A-6.5B3-TR
IS61LF51236A-6.5B3-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥26.39313

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IS26KS512S-DPBLI00
IS26KS512S-DPBLI00
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-VFBGA (6x8)

¥66.15665

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