品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥67.37346 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥67.37346 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥50.51199 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.51199 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥16.51381 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.51381 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥133.29833 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥133.29833 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥79.64293 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥79.64293 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥10.83538 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.83538 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥43.70366 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.70366 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥70.53136 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥70.53136 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 168-VFBGA (12x12) | ¥24.35063 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.35063 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥99.99548 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥99.99548 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (32M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥46.76016 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.76016 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (32M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥6.44618 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.44618 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (32M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥38.59017 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.59017 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (32M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥21.10581 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.10581 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (32M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥18.57080 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.57080 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (32M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥799.50027 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥799.50027 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (32M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥20.43946 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.43946 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 168-VFBGA (12x12) | ¥60.92728 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥60.92728 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22) | ¥32.33231 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.33231 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥45.25364 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.25364 | 添加到BOM 立即询价 |