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品牌介绍

Integrated Silicon Solution,Inc.(ISSI)是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(i)汽车,(ii)通信,(iii)数字消费品,以及(iv)工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场,并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品,包括低密度和小容量产品,即使在制造能力紧张的时期也是如此。

英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

中文全称: 芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/index.html

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IS61NVF51236-7.5B3-TR
IS61NVF51236-7.5B3-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥392.56518

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IS61NVP102418-200B3I-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥30.17392

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IS61NVP102418-200B3-TR
IS61NVP102418-200B3-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥172.52588

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IS61NVP102418-200TQLI-TR
IS61NVP102418-200TQLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥34.09957

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IS61NVP102418-250B3I-TR
IS61NVP102418-250B3I-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥107.67295

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IS61NVP102418-250B3-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥560.52803

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IS61NVP25672-200B1I-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22)

¥16.81801

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IS61NVP25672-200B1-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22)

¥65.27302

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IS61NVP25672-250B1I-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 209-LFBGA (14x22)

¥45.16672

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IS61NVP51236-200B3-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥55.82827

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IS61NVP51236-250B3I-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥20.81610

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IS61NVP51236-250B3-TR
IS61NVP51236-250B3-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥20.29461

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IS61VF102418A-6.5B3I-TR
IS61VF102418A-6.5B3I-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥488.07006

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IS61VF102418A-6.5B3-TR
IS61VF102418A-6.5B3-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥14.44234

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IS25LQ025B-JULE
IS25LQ025B-JULE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-USON (2x3)

¥154.17237

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IS61VF102418A-7.5B3I-TR
IS61VF102418A-7.5B3I-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥81.54057

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IS25LQ010B-JVLE
IS25LQ010B-JVLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-VVSOP

¥523.15467

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IS61VF102418A-7.5B3-TR
IS61VF102418A-7.5B3-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥84.74193

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IS25LQ512B-JVLE
IS25LQ512B-JVLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-VVSOP

¥74.96402

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IS25LQ020B-JVLE
IS25LQ020B-JVLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-VVSOP

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