品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥23.88708 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.88708 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥141.59870 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥141.59870 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 50-TSOP II | ¥44.81907 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.81907 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 50-TSOP II | ¥78.39715 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78.39715 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.97伏~3.63伏 供应商设备包装: 50-TSOP II | ¥101.45854 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥101.45854 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥78.86070 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78.86070 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥51.80122 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.80122 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥41.11070 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.11070 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥43.50086 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.50086 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥147.36404 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥147.36404 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥30.59401 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.59401 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥38.06868 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.06868 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥22.23570 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.23570 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥80.03405 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥80.03405 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥163.57365 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥163.57365 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥23.77120 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.77120 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥16.71661 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.71661 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥8.64802 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.64802 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥39.50278 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.50278 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥46.54288 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.54288 | 添加到BOM 立即询价 |