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品牌介绍

Integrated Silicon Solution,Inc.(ISSI)是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(i)汽车,(ii)通信,(iii)数字消费品,以及(iv)工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场,并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品,包括低密度和小容量产品,即使在制造能力紧张的时期也是如此。

英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

中文全称: 芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/index.html

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IS49NLC36160-25B
IS49NLC36160-25B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5)

¥49.42555

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IS49NLC36160-25BI
IS49NLC36160-25BI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-25BL
IS49NLC36160-25BL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5)

¥63.18706

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IS49NLC36160-25BLI
IS49NLC36160-25BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5)

¥94.43293

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IS49NLC36160-25EBL
IS49NLC36160-25EBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5)

¥182.99911

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IS49NLC36160-33B
IS49NLC36160-33B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-33BI
IS49NLC36160-33BI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5)

¥36.99673

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IS49NLC36160-33BL
IS49NLC36160-33BL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-33BLI
IS49NLC36160-33BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5)

¥34.49069

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IS49NLC36800-25B
IS49NLC36800-25B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5)

¥22.06187

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IS49NLC36800-25BI
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5)

¥99.63333

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IS49NLC36800-25BL
IS49NLC36800-25BL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36800-25BLI
IS49NLC36800-25BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36800-25EBL
IS49NLC36800-25EBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36800-25EBLI
IS49NLC36800-25EBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36800-33B
IS49NLC36800-33B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36800-33BI
IS49NLC36800-33BI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5)

¥13.54422

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IS49NLC36800-33BL
IS49NLC36800-33BL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36800-33BLI
IS49NLC36800-33BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC93200-25B
IS49NLC93200-25B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (32M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5)

¥26.81322

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